碳(tan)化硅(gui)炉管(guan)又(you)称耐火(huo)炉管(guan)，目(mu)前(qian)广(guang)泛应用(yong)于中(zhong)频锻(duan)造(zao)、冶金(jin)烧结炉、各种(zhong)热(re)处理电(dian)炉、化(hua)工、有色(se)金(jin)属(shu)冶炼等(deng)行业(ye)。因(yin)为它(ta)具(ju)有强度(du)高(gao)、耐磨(mo)性好(hao)、耐(nai)高温、耐腐蚀、硬(ying)度高(gao)、抗热震(zhen)性(xing)好(hao)、抗氧(yang)化(hua)性好(hao)、导热性高(gao)等(deng)诸多(duo)优(you)异(yi)性能(neng)，所以在(zai)窑炉(lu)和(he)其(qi)他(ta)应(ying)用领(ling)域也有(you)涉及。

　　由(you)吸收(shou)性(xing)材(cai)料(liao)制成的炉管，外(wai)部(bu)加热，但(dan)内部仍能提(ti)供所需(xu)的工(gong)作(zuo)环(huan)境(jing)，不仅(jin)是窑(yao)炉(lu)的(de)支撑(cheng)构件(jian)，同(tong)时还(hai)能(neng)可用(yong)作(zuo)天然(ran)气(qi)和(he)燃油窑(yao)的(de)燃烧气(qi)孔。

　　我们(men)的(de)碳化硅(gui)炉管广泛用(yong)于高(gao)温(wen)环境，所(suo)用(yong)炉管(guan)的(de)材料是致(zhi)密莫来(lai)石或氧化(hua)铝。可以根据(ju)客户(hu)要(yao)求的(de)尺寸和(he)公(gong)差定(ding)制各种碳化(hua)硅炉(lu)管(guan)和实(shi)心棒，采用的(de)特殊(shu)生(sheng)产工(gong)艺(yi)来(lai)制造高(gao)精度的碳化(hua)硅(gui)炉管。

　　传(chuan)统的炉(lu)管通常是圆(yuan)形(xing)的(de)，但(dan)也(ye)可以制成其他(ta)形(xing)状(zhuang)。但(dan)是碳(tan)化(hua)硅炉(lu)管(guan)是以(yi)碳化硅为(wei)主(zhu)要(yao)原(yuan)料，经高(gao)温(wen)烧结(jie)而成的(de)优(you)质碳(tan)化硅(gui)产(chan)品。具有(you)耐(nai)高温(wen)、耐腐(fu)蚀(shi)等(deng)优(you)点(dian)。两端(duan)均(jun)配(pei)有专(zhuan)用(yong)高(gao)温(wen)绝(jue)缘套(tao)管(guan)，金属溶液(ye)可(ke)有效(xiao)避免(mian)电加(jia)热(re)元(yuan)件的腐(fu)蚀，各项指(zhi)标均(jun)优于(yu)各(ge)种(zhong)石(shi)墨制品(pin)。同时具有(you)着抗(kang)氧(yang)化、抗热震(zhen)的特(te)性(xing)，对强酸强碱无反(fan)应。

　　碳(tan)化硅炉(lu)管(guan)的(de)成品(pin)长度标准(zhun)可(ke)根据(ju)客(ke)户(hu)实(shi)际(ji)需(xu)要定制(zhi)。它(ta)的主要(yao)用途(tu)是(shi)，被广(guang)泛应用于(yu)印染(ran)机(ji)械(xie)、有(you)色金属培训(xun)、铝脱气系统、锌铝(lv)培(pei)训(xun)及成(cheng)品(pin)加工。

　　碳化(hua)硅具(ju)有(you)高输入阻抗、低噪(zao)声(sheng)和(he)良好(hao)线性(xing)的(de)特(te)点(dian)，它(ta)是(shi)快速(su)发展(zhan)的碳化硅(gui)配件之(zhi)一(yi)，在商(shang)业(ye)化方(fang)面处于靠(kao)前(qian)地(di)位。与MOSFET相(xiang)比，不(bu)存(cun)在栅(zha)氧(yang)化(hua)缺(que)陷(xian)和低(di)载(zai)流(liu)子迁移(yi)率的(de)限制所(suo)导(dao)致(zhi)的(de)可靠性(xing)问题，其单极性工作特(te)性，也使(shi)得(de)它(ta)保持了(le)良好的高频(pin)工(gong)作能力。此外(wai)，碳化硅炉管(guan)的结(jie)构(gou)在高温下(xia)具有(you)更(geng)好(hao)的稳(wen)定性和可靠性(xing)，因(yin)此阈(yu)值(zhi)电(dian)压通(tong)常为(wei)负值(zhi)即(ji)常开(kai)器(qi)件，这(zhe)对(dui)电(dian)力电(dian)子应用极为(wei)不(bu)利，与(yu)当前常用(yong)的器(qi)件(jian)专用驱动电(dian)路(lu)不兼(jian)容(rong)。因(yin)此现代(dai)领域(yu)通(tong)过引入沟槽注入(ru)器(qi)件(jian)技(ji)术(shu)，研制(zhi)了(le)一(yi)种常(chang)闭状(zhuang)态(tai)的增强(qiang)器(qi)件。然(ran)而(er)，增强(qiang)型器件的形成(cheng)往(wang)往(wang)以(yi)牺牲某(mou)些正(zheng)向(xiang)导(dao)通电阻(zu)特性为(wei)代(dai)价(jia)。因(yin)此，常开(kai)(耗尽模式(shi))更(geng)容易实(shi)现更(geng)高(gao)的(de)功率(lv)密度(du)和电流(liu)容(rong)量，而(er)耗尽(jin)模式又(you)可以通(tong)过(guo)级联实现始终(zhong)关闭的(de)工作(zuo)状态。级(ji)联方(fang)法就(jiu)是(shi)是通(tong)过串(chuan)联(lian)低压硅基MOSFET来实(shi)现(xian)的。级联驱(qu)动电路(lu)非(fei)常(chang)适合(he)在高压(ya)大功率场(chang)合取(qu)代(dai)原有的(de)硅，与普(pu)通硅(gui)基(ji)器件(jian)驱(qu)动电路(lu)自然兼容，直接(jie)避免了驱(qu)动电路(lu)的兼容(rong)性(xing)问题。