反应烧结(jie)碳(tan)化硅(gui)瓷(ci)器(qi)具(ju)备(bei)环境(jing)温(wen)度抗(kang)压(ya)强度好(hao)、耐(nai)热(re)空(kong)气(qi)氧(yang)化、耐磨性(xing)能好(hao)、耐(nai)热性好、线(xian)膨(peng)胀(zhang)系(xi)数(shu)小(xiao)、传(chuan)热(re)系数(shu)高、硬(ying)度高、耐(nai)热(re)破坏(huai)性、防火等优质特性。广泛用于(yu)车(che)辆、机械(xie)自动(dong)化、生(sheng)态(tai)环境保(bao)护、航天(tian)工程(cheng)、信(xin)息(xi)内容(rong)电子(zi)器件(jian)、电力(li)能源等(deng)领域，变(bian)成(cheng)很多(duo)产(chan)业(ye)领(ling)域(yu)性价(jia)比(bi)高(gao)的无可替代(dai)的结(jie)构陶瓷(ci)。

　　无压烧(shao)结被称(cheng)之(zhi)为有前(qian)景(jing)的(de)SiC煅(duan)烧方(fang)式。针对(dui)不(bu)同的(de)连(lian)铸(zhu)机(ji)，无压(ya)烧结可(ke)以分(fen)为固相煅(duan)烧(shao)和(he)高(gao)效(xiao)液相(xiang)煅烧(shao)。在极细Beta-SiC粉末状(zhuang)中一(yi)起加(jia)上适(shi)当B和C(含氧(yang)量(liang)低于(yu)2%)，使(shi)S. Proehazka在(zai)2020下烧结(jie)为(wei)相对(dui)密度超(chao)过(guo)98%的(de)SIC煅烧体(ti)，以(yi)Al2O3和Y2O3为添加(jia)物(wu)，在(zai)1850-1950下(xia)煅(duan)烧(shao)0.5m-SiC(颗(ke)粒物(wu)表层(ceng)带(dai)有少(shao)许SiO2)，结论(lun)SiC瓷(ci)器的(de)密度超(chao)过基础(chu)理论密(mi)度的(de)95%，晶粒(li)尺(chi)寸(cun)小(xiao)，平均(jun)尺寸(cun)大(da)，这(zhe)是1.5μm。

　　反应(ying)烧(shao)结碳化(hua)硅(gui)就是(shi)指多孔(kong)结(jie)构小(xiao)方坯与液(ye)相或(huo)高(gao)效(xiao)液相反(fan)映(ying)，提升(sheng)小(xiao)方(fang)坯(pi)品(pin)质，降(jiang)低出(chu)气孔，以一定的(de)强(qiang)度和(he)尺(chi)寸(cun)精度煅烧(shao)成品的(de)全过程。钚-SIC粉(fen)末状和高(gao)纯(chun)石墨按(an)一定比(bi)例(li)混(hun)和加(jia)温到1650上(shang)下，产(chan)生毛(mao)胚。与(yu)此(ci)同(tong)时(shi)，它(ta)通过(guo)液相(xiang)Si渗(shen)入或渗(shen)透(tou)到(dao)钢材中(zhong)，与(yu)碳化(hua)硅(gui)反映一起形(xing)成钚(bu)-SIC，及(ji)与(yu)已(yi)有(you)的(de)钚-SIC颗(ke)粒(li)融(rong)合(he)。Si彻(che)底(di)渗入(ru)后(hou)，可(ke)以获得相对密度(du)详(xiang)细(xi)、规(gui)格未(wei)收(shou)拢(long)的(de)反(fan)应烧(shao)结(jie)体(ti)。与其它烧结(jie)法对(dui)比，在高(gao)密(mi)度(du)的(de)过(guo)程当(dang)中(zhong)反(fan)应(ying)烧(shao)结尺(chi)寸转(zhuan)变(bian)比较小(xiao)，能够(gou)创(chuang)造出尺寸正确(que)商品，但(dan)煅(duan)烧体上存在大(da)量SiC，反应(ying)烧结的SiC瓷(ci)器(qi)的高(gao)温(wen)特性会变(bian)差。没压(ya)力(li)煅(duan)烧SiC瓷(ci)器、热(re)等(deng)静压(ya)煅烧(shao)SiC瓷(ci)器(qi)和反应烧(shao)结(jie)SiC陶瓷(ci)具(ju)备不(bu)同类型(xing)的(de)特(te)性。

　　反应(ying)烧结(jie)碳化硅生(sheng)产(chan)厂(chang)家(jia)：比(bi)如，SiC瓷器(qi)在煅烧(shao)相(xiang)对(dui)密(mi)度和弯(wan)曲(qu)强度(du)层(ceng)面(mian)，热压烧(shao)结和热等静(jing)压(ya)煅(duan)烧(shao)比(bi)较多(duo)，反(fan)应烧结SiC相对较(jiao)低(di)。与此(ci)同(tong)时(shi)，SiC瓷器(qi)的物(wu)理(li)性能随煅烧(shao)改性剂(ji)的(de)改变(bian)而变(bian)化。SiC瓷(ci)器(qi)的无压(ya)烧结(jie)、热压(ya)烧(shao)结(jie)和(he)反应烧(shao)结具(ju)有(you)较好(hao)的耐(nai)碱(jian)性、耐酸(suan)性(xing)能(neng)，但反(fan)应烧(shao)结(jie)SiC瓷器(qi)抗HF等很(hen)强酸腐蚀(shi)能较(jiao)弱。环境(jing)温(wen)度小(xiao)于900时，绝(jue)大(da)多数SiC瓷(ci)器(qi)的(de)弯(wan)曲强度都明(ming)显(xian)高(gao)于(yu)高(gao)温(wen)烧(shao)结(jie)瓷器(qi)，反(fan)应(ying)烧(shao)结(jie)SiC瓷器(qi)的(de)弯(wan)曲强(qiang)度超出(chu)1400时(shi)骤(zhou)降(jiang)。(这是(shi)由于一定(ding)量的(de)夹层(ceng)玻(bo)璃Si在(zai)煅烧体(ti)里(li)超出(chu)一(yi)定温(wen)度的弯曲强(qiang)度骤(zhou)降而引起的(de)。针对(dui)没(mei)压力煅(duan)烧(shao)和(he)热等静压(ya)力烧结(jie)的SiC瓷器(qi)，高(gao)温(wen)性(xing)能主(zhu)要(yao)受添加(jia)剂种(zhong)类的(de)影(ying)响。

　　小(xiao)编(bian)就(jiu)不再做(zuo)过多的(de)讲(jiang)解，让我(wo)们(men)下次再(zai)见。